研究目的
用毒性较低的材料替代含镉量子点，特别关注基于磷化铟的量子点在量子点发光二极管中的应用。
研究成果
InP/ZnSe/ZnS量子点是无镉量子点发光二极管（QD-LED）的有前途候选材料，具有实现高效率和稳定性的潜力?；贗nP量子点开发高性能QD-LED对未来市场应用至关重要。该研究还强调了喷墨打印技术在制备QD-LED显示器方面的可行性。
研究不足
该研究聚焦于以磷化铟（InP）基量子点替代含镉量子点，但这些量子点在量子点发光二极管（QD-LEDs）中于不同条件下的性能与稳定性可能还需进一步优化和测试。
该研究涉及多壳层InP/ZnSe/ZnS量子点的合成以及常规和倒置QD-LED器件的制备。常规器件采用PEDOT:PSS作为空穴注入层、poly-TPD作为空穴传输层、InP/ZnSe/ZnS量子点作为发光层、TPBi作为电子传输层、Ca/Ag作为金属阴极；倒置器件采用ITO作为阳极、ZnO纳米颗粒作为电子传输层、InP/ZnSe/ZnS量子点作为发光层、TCTA作为空穴传输层、MoO3作为空穴注入层、Ag作为金属阳极。
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InP/ZnSe/ZnS QDs
Light emission layer in QD-LEDs
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PEDOT:PSS
Hole injection layer in conventional QD-LEDs
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poly-TPD
Hole transport layer in conventional QD-LEDs
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TPBi
Electron transport layer in conventional QD-LEDs
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Ca/Ag
Metallic cathode in conventional QD-LEDs
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ITO
Anode in both conventional and inverted QD-LEDs
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ZnO nanoparticles
Electron transport layer in inverted QD-LEDs
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TCTA
Hole transport layer in inverted QD-LEDs
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MoO3
Hole injection layer in inverted QD-LEDs
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Ag
Metallic anode in inverted QD-LEDs
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