研究目的
利用650电子伏特同步辐射X射线光电子能谱(XPS)研究激光诱导掺杂技术制备的CdTe二极管型X/γ射线探测器中的改性表面。
研究成果
该研究成功揭示了采用激光辅助掺杂技术形成p-n结的In/CdTe/Au二极管结构中,In/CdTe界面附近In掺杂原子向CdTe中的相互渗透以及Cd原子向沉积In膜中的相互渗透现象。所制备的In/CdTe/Au二极管展现出良好的整流特性,适用于X/γ射线探测器应用。
研究不足
该研究聚焦于CdTe二极管探测器的表面改性与掺杂效应,但分析深度受限于XPS技术对极薄层(几纳米)的灵敏度。激光参数与掺杂条件对探测器性能的影响尚未充分探究。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用650电子伏特同步辐射X射线光电子能谱(XPS)分析激光诱导掺杂技术制备的CdTe二极管型X/γ射线探测器改性表面。
2:样品选择与数据来源:
使用预涂铟掺杂膜的半绝缘(111)取向p型CdTe单晶。
3:实验设备与材料清单:
YAG:Nd激光器(λ=1064纳米)用于辐照,同步辐射源进行XPS测量,以及氩离子溅射设备。
4:实验步骤与操作流程:
In/CdTe样品分别从铟面或半导体背面接受纳秒激光脉冲辐照,每次氩离子溅射后测量XPS谱图。
5:数据分析方法:
基于XPS谱图中高分辨率的In 3d和Cd 3d峰分析In/CdTe界面处铟原子与镉原子的分布及其原子键合情况。
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