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增强亚单层量子点异质结构上非均匀耦合InAs Stranski-Krastanov的生长性能

DOI：10.1016/j.spmi.2019.106260 期刊：Superlattices and Microstructures 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 本研究对异质耦合的Stranski-Krastanov（SK）生长于亚单层（SML）量子点（QD）异质结构性能提升进行了详细探究。为将发射波长拓展至通信波段，研究团队对该异质结构实施了多种优化方案，重点考察了InxGa1-xAs、InxAlyGa1-x-yAs和GaAs1-xSbx等应变缓冲层对SK/SML QD异质结构的调控作用。通过分析不同结构配置对静水压应变、双轴应变分布及载流子局域化的影响，成功将光致发光波长从先前报道的1.1微米延伸至通信波段1.3微米，该成果将对未来光电器件的生长制备产生重要影响。
作者： Jhuma Saha，Pravin Raut，Rajkumar Ramavath，Debiprasad Panda，Debabrata Das，Subhananda Chakrabarti
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

提升异质耦合Stranski-Krastanov（SK）生长于亚单层（SML）量子点（QD）异质结构中的性能，并将发射波长延伸至通信波段。

研究成果

通过采用多种包覆材料对SK和SML量子点进行包覆、组合包覆以及使用GaAs1-xSbx包覆层构建II型量子点异质结构，SK在SML异质结构上的性能得到了提升。经过优化的组合包覆与GaAs1-xSbx包覆层结构可应用于光电探测器、太阳能电池和存储器件等多种光电器件。

研究不足

该研究基于模拟，可能需要实验验证以确认结果。未考虑实际条件对异质结构性能的影响。

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