研究目的
研究通过外场周期调制控制半导体耦合量子阱和二维材料双层结构中的电子-空穴超流态。
研究成果
该研究表明，通过施加外部周期性势场，可以控制耦合量子阱（CQWs）或二维材料双层结构中的电子-空穴超流体。电子-空穴配对临界温度由配对参数、态密度及费米能级位置决定。结果表明，超流体与电子-空穴等离子体相之间存在二级相变，该相变可通过外部周期性势场进行调控。
研究不足
该研究假设序参量不依赖于动量，且电子与空穴具有相同的色散关系。平均场方法中未考虑序参量的相位涨落和量子涨落。
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周期性势场调控的电子-空穴超流态
DOI：10.1103/PhysRevB.100.134514
期刊：Physical Review B
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
我们提出通过外场周期性调控半导体耦合量子阱及二维材料双层结构中的电子-空穴超流态。该外场可通过周期性排布并附着于量子阱或二维材料双层的栅极产生，亦可由两层扭转材料形成的莫尔图案实现。通过平均场自由能最小化方法，我们获得了电子-空穴配对序参量随温度、载流子密度及栅极参数的变化关系，并分析了不同参数条件下由外场周期性栅控所主导的超流态与电子-空穴等离子体之间的二级相变。
作者：
Oleg L. Berman，Roman Ya. Kezerashvili，Yurii E. Lozovik，Klaus G. Ziegler
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