研究目的
报道异质III-V族材料在绝缘体上硅（SOI）平台上集成的最新进展，用于光通信领域，并对近期关键进展进行综述以供基准对比。
研究成果
该论文总结指出，III-V材料与硅光子学的异质集成已取得重大进展，使得复杂片上光学系统的开发成为可能。研究强调了这项技术通过提供低功耗、高效率且便携的解决方案，对下一代光通信产生影响的潜力。
研究不足
该论文提到了传统QWS DFB激光器中空间烧孔效应严重，以及混合III-V/SOI光子集成电路在热管理方面面临的挑战等局限性。
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硅基三五族集成：从混合器件到异质光子集成电路
DOI：10.1109/jstqe.2019.2939503
期刊：IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
近年来，III-V族材料与硅光子学的异质集成取得了巨大进展，为构建超越单一器件性能的复杂片上光学系统奠定了基础。该领域的最新突破有望推动下一代光通信技术发展，实现低功耗、高效率及便携化解决方案。为实现这一目标，学界正针对混合激光器、调制器和光电探测器开展深入研究，以开发符合市场需求规格的光学?？橛牍庾蛹赏纭Ｓ氪送?，混合光子集成电路（PICs）的封装与热管理技术也取得重要进展。本文报道了我们在高速光通信用硅基III-V异质发射器、接收器及封装光学?？榉矫娴淖钚卵芯砍晒?，并对领域内近期进展进行综述以供基准对比。
作者：
Joan Manel Ramirez，Hajar Elfaiki，Théo Verolet，Claire Besancon，Antonin Gallet，Delphine Néel，Karim Hassan，Ségolène Olivier，Christophe Jany，Stéphane Malhouitre，Kamil Gradkowski，Padraic E. Morrissey，Peter O'Brien，Christophe Caillaud，Nicolas Vaissière，Jean Decobert，Shenghui Lei，Ryan Enright，Alexandre Shen，Mohand Achouche
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