研究目的
为克服窄带和四层输出限制，并通过提出一种从微带线到任意层数增高高度电磁表面集成波导（ESIW）的新型宽带过渡结构，将增高高度ESIW的实际应用从窄带滤波器拓展至更广泛领域。
研究成果
一种用于增高型ESIW的新型宽带过渡结构已成功设计、制造并测试，在ESIW的整个有效带宽范围内表现出良好性能。该过渡结构支持宽带器件集成，并可扩展至不同频段。
研究不足
过渡段的性能受其起始部分限制，这会影响回波损耗。该设计需要仔细优化才能在整个带宽范围内实现预期性能。
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用于增高空腔基片集成波导的宽带过渡结构
DOI：10.1109/access.2019.2947215
期刊：IEEE Access
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
最近，空腔基片集成波导（ESIW）技术被提出，用于将空腔波导嵌入平面基片中以提升其性能。先前研究展示了一种基于四层结构的低损耗窄带微带线至增高型ESIW的过渡结构，并据此实现了Q波段超高Q值带通滤波器。通过这种基于四分之一波长变换器的窄带过渡，采用Q值为1000的谐振器获得了极窄带的滤波器响应。本文为突破窄带限制和四层结构输出约束，拓展增高型ESIW在窄带滤波器之外的实际应用，提出了一种新型任意层数微带线至增高型ESIW的宽带过渡结构。本研究设计了一套适用于Ka波段的完整宽带过渡方案（基片层数3至8层可调），该方案经尺寸比例缩放后亦可便捷移植至其他频段。为佐证该设计方法，原始Ka波段过渡结构已成功映射至Ku波段并取得优异效果。为验证设计方案，研究团队在Ka波段制备了四层结构原型，在ESIW整个有效带宽范围内均实现了优良性能。
作者：
JUAN A. MARTíNEZ，ANGEL BELENGUER，JUAN J. DE DIOS，HéCTOR ESTEBAN GONZáLEZ，VICENTE E. BORIA
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