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硫氮共掺杂石墨烯量子点修饰的CdSe用于增强光电性能。

DOI：10.1088/1361-6528/ab589c 期刊：Nanotechnology 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 通过溶剂热法合成了硒化镉与硫氮共掺杂石墨烯量子点（CdSe/S,N-GQDs）纳米复合材料。结果表明：S,N-GQDs粒径约5纳米，平均高度0.5纳米，仅含1-2层石墨烯片层。CdSe/S,N-GQDs复合物呈现明显晶格条纹，层间距分别为0.24纳米和0.35纳米，对应S,N-GQDs的(1120)晶面与立方相CdSe的(111)晶面。在365纳米紫外光照射下测试光电性能显示：相较于纯CdSe和CdSe/GQDs，CdSe/S,N-GQDs复合物具有最大光电流密度4.286×10?? A/cm2，分别达到前两者的10.5倍和7.5倍。该光电流提升源于S,N-GQDs作为石墨烯纳米片段能提供更大比表面积并显著增加与CdSe的接触界面。此外，通过调节掺杂比例可优化光电性能——当掺杂比为1:1时，CdSe/S,N-GQDs展现出最佳光电特性。
作者： Zhong Ouyang，Yun Lei，Liqun Luo，Zicong Jiang，Jiaxin Hu，Yuanyuan Lin
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究CdSe/S, N-GQDs复合材料在紫外光照射下的增强光电性能。

研究成果

CdSe/S,N-GQDs复合材料在紫外光照射下表现出显著增强的光电性能，其中掺杂比例为1:1时性能最佳。性能提升归因于S,N-GQDs提供的更大比表面积以及对光生载流子分离的促进作用。

研究不足

该研究聚焦于紫外光照射下的光电特性，未探究其他光源或条件下的性能表现。

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