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一种混合太赫兹成像系统,配备100像素CMOS成像器和3.25-3.50太赫兹量子级联激光频率梳

DOI:10.1109/LSSC.2019.2933332 期刊:IEEE Solid-State Circuits Letters 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 超过3太赫兹的太赫兹频段在化学与生物医学传感、光谱分析、成像及短距离无线通信等众多应用领域具有变革性潜力。虽然硅基太赫兹成像技术在1太赫兹以下频段已取得显著进展,但3太赫兹以上频段因缺乏固态辐射源导致技术发展受阻。此外,3太赫兹以上频段的设计空间在电子学和电磁界面方面带来了全新挑战——该频谱范围内波长足够?。?太赫兹时λox≈50微米),使得从顶部天线层到探测器的垂直通孔成为分布式元件(传输线或辐射器)。本文采用严谨的电路-电磁协同设计方法,研制出集成100像素CMOS成像器与工作在3.25-3.5太赫兹(模式间隔17吉赫兹)的太赫兹量子级联激光器频率梳的混合成像系统。该阵列芯片虽针对2.7-2.9太赫兹优化设计,但在3.25-3.5太赫兹频段仍展现出平均噪声等效功率(NEP)1260皮瓦/√赫兹(全像素平均),预计在设计频段2.7-2.9太赫兹可实现284皮瓦/√赫兹的NEP值。据我们所知,这是首次以混合量子级联激光器(QCL)-CMOS方式实现完整太赫兹成像,该方案为未来利用QCL与CMOS技术推动1-10太赫兹系统的技术突破奠定了基础。
作者: T. J. Smith,Anna Broome,Daniel Stanley,Jonas Westberg,Gerard Wysocki,Kaushik Sengupta
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展示一种混合成像系统,该系统采用100像素CMOS成像器与工作在3.25-3.50太赫兹频段的太赫兹量子级联激光频率梳,旨在解决超过3太赫兹频段固态源缺失的问题,并探索电子学与电磁接口设计领域的新挑战。

演示了一种混合成像系统,该系统采用100像素CMOS成像器和覆盖3.25-3.50太赫兹频段的太赫兹量子级联激光器频率梳,展示了此类系统在未来1-10太赫兹频段技术进步中的潜力。

信噪比受限于量子级联激光器(QCL)的输出功率(70微瓦),不过兆瓦级QCL可用于3-10太赫兹波段的潜在成像系统。

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