研究目的
展示在简化的硅光子工艺中集成MEMS使能组件,以增强光子集成电路的功能并降低功耗。
研究成果
已成功证明在简化的硅光子工艺中集成MEMS组件,显示出增强光子集成电路功能性和降低功耗的潜力。定制释放工艺与标准平台兼容,为未来大规模集成铺平了道路。
研究不足
该研究聚焦于一种简化的硅光子工艺,省略了可能限制其直接适用于大规模生产的若干工艺???。虽然释放工艺与标准平台兼容,但需要定制的后续处理步骤。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用IMEC的iSiPP50G标准硅光子技术平台的简化版本,在保持完整无源功能的同时省略若干工艺??橐约铀俟ひ湛?。在洛桑联邦理工学院微纳米技术中心(CMi)开发了定制释放工艺。
2:样品选择与数据来源:
器件设计并制备于全流程硅光子衬底上。
3:实验设备与材料清单:
关键设备包括可调谐激光器(安捷伦8164A)、探测器??椤⑵窨刂破?、127微米光纤间距的光纤阵列及电学探针。材料包含绝缘体上硅(SOI)晶圆及原子层沉积用氧化铝。
4:实验流程与操作步骤:
释放工艺包含氧化铝原子层沉积、光刻、电感耦合等离子体刻蚀实现氧化铝开窗,以及气相氢氟酸刻蚀选择性去除埋氧层。
5:数据分析方法:
采用可调谐激光器与探测器模块进行光学表征,测量传输光谱数据,并以光栅耦合器与直波导为基准进行归一化处理。
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