研究目的
研究基于SiC-SiO2 MEMS-DBR的1550 nm附近窄FWHM宽调谐光学滤波器性能。
研究成果
基于碳化硅-二氧化硅MEMS-DBR的滤波器在1550纳米波长附近展现出小于0.1纳米的窄半高全宽及114.9纳米的大自由光谱范围,其调谐范围为1508至1625纳米。该研究凸显了通过将滤波器分别与光电二极管或VCSEL结构集成的方式,制造宽范围可调谐探测器或发射器的潜力。
研究不足
通过减小气隙来增加调谐范围与随之而来的半高全宽(FWHM)增大之间的权衡,可能会限制特定应用的性能。光刻对准的缺陷以及牺牲层的去除也会影响滤波器的效率。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用SiC与SiO2层的新颖材料组合来制备分布式布拉格反射镜(DBR)。该设计利用这些材料之间的高折射率阶跃实现高反射率和宽阻带。
2:样品选择与数据来源:
滤光片采用表面微加工技术在硅衬底上制备。
3:实验设备与材料清单:
该装置包括作为宽带光源的半导体光放大器、用于光纤到自由空间转换的准直透镜,以及用于电热驱动的金电极。
4:实验步骤与操作流程:
该过程包括沉积介质层、制备由梁支撑的可移动反射镜,以及施加抗反射涂层。通过改变加热电流IMEMS实现调谐。
5:数据分析方法:
基于滤波信号的半高全宽(FWHM)和自由光谱范围(FSR)评估性能。
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