研究目的
研究缺电子π桥单元对基于MeTPA的HTM材料性能及PSC器件光伏性能的影响,并为筛选优质缺电子π桥单元以构建适用于PSC器件的潜在HTM材料提供有效模型。
研究成果
设计的H2至H4分子是钙钛矿太阳能电池应用中极具潜力的空穴传输材料候选者,其中H3展现出最高的空穴迁移率。该研究为调控基于MeTPA的空穴传输材料中稠环π桥单元提供了重要信息,有助于获得适用于钙钛矿太阳能电池的优质空穴传输材料。
研究不足
该研究侧重于理论计算与模拟,可能无法完全反映HTM材料在实际PSC器件中的实际性能。需通过实验验证来确认理论预测的准确性。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)研究设计的空穴传输材料(HTMs)性质,包括几何结构、前线分子轨道和重组能。光学性质通过TD-DFT计算获得。
2:样本选择与数据来源:
设计了一类基于简单MeTPA单元且具有不同π桥缺电子单元的HTMs(H1-H4)。
3:实验设备与材料清单:
使用Gaussian09程序进行DFT和TD-DFT计算,ADF程序进行电子耦合计算。
4:实验步骤与操作流程:
几何结构优化采用B3P86/6-31G(d)水平,光学吸收通过TD-DFT在BMK/6-31G(d)水平下模拟四氢呋喃溶液环境。
5:数据分析方法:
基于第一性原理计算结合Marcus理论预测电子耦合和空穴迁移率。
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