研究目的
研究具有选择性发射极和基于多晶硅钝化接触的高效n型硅PERT双面太阳能电池。
研究成果
该研究成功制备出大面积n型PERT双面晶体硅太阳能电池，其最高效率超过21%，采用前表面激光掺杂选择性发射极和背面基于多晶硅的钝化接触结构。理论模拟表明，通过优化SiOx层和界面参数，电池效率有望进一步提升至24.64%。
研究不足
该研究在常规大面积晶圆上形成并集成纳米级SiOx介电层面临挑战。氧化硅的质量会显著影响太阳能电池的电学性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究制备了具有前表面选择性发射极和后表面基于多晶硅钝化接触的n型PERT双面晶体硅太阳能电池。采用激光掺杂法形成选择性发射极，利用硝酸氧化法生长纳米层SiOx。
2：样品选择与数据来源：
以商业级n型准方形（156×156 mm2）(100)晶向直拉法（Cz）晶体硅片作为起始材料。
3：实验设备与材料清单：
设备包括常规高温管式炉、纳秒脉冲激光器、PECVD和丝网印刷金属化设备；材料包含BBr?、硝酸及磷掺杂多晶硅。
4：实验流程与操作步骤：
工艺流程包含损伤蚀刻、碱制绒、BBr?扩散、激光掺杂选择性发射极、硝酸氧化、多晶硅PECVD沉积及丝网印刷金属化。
5：数据分析方法：
采用椭偏仪光谱分析、ECV剖面测试、EQE测量、QSSPC法及I-V测试进行表征。
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