研究目的
本工作的目标是全面分析影响InAs量子点激光器工作性能的退化机制。
研究成果
本文收集的实验证据可通过以下观点解释：应力通过扩散过程促使缺陷向器件有源区迁移/扩展。当缺陷迁移至有源层附近时，它们开始充当高效的非辐射复合中心，从而降低亚阈值区的光发射并提高器件的阈值电流。
研究不足
该研究聚焦于恒流应力下的退化机制，可能未涵盖所有运行条件或失效模式。
1：实验设计与方法选择：
对样品施加恒定电流应力测试，监测应力过程中的光学特性（L-I曲线、EL光谱）和电学特性（I-V曲线）。
2：样品选择与数据来源：
采用最先进的GaP-on-硅衬底上通过分子束外延生长的InAs量子点激光二极管。
3：实验设备与材料清单：
使用Keysight B2912A源表进行电学特性表征，Yokogawa AQ6370D光谱分析仪（OSA）进行光学测量。
4：实验流程与操作步骤：
在固定基板温度TAMB=35°C条件下进行应力测试与特性表征。
5：数据分析方法：
通过分析光学与电学特性的变化来识别退化机制。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容
