研究目的
研究GaN盖层对垂直耦合InGaN/GaN量子点中载流子占据及带间跃迁概率的影响。
研究成果
垂直耦合InGaN/GaN量子点的发光强度受量子点间距显著影响，在d=50?时观察到最小强度值。该现象归因于内部电场和准费米能级分离的变化。研究结果表明，减小量子点间距可增强自发辐射，为高效光电器件设计提供了指导准则。
研究不足
该研究聚焦于垂直耦合InGaN/GaN量子点的理论探究，未提供实验验证。未探讨其他结构参数或外部条件对量子点特性的影响。
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GaN盖层对垂直耦合InGaN/GaN量子点的载流子占据及带间跃迁概率的影响
DOI：10.1016/j.physb.2019.411846
期刊：Physica B: Condensed Matter
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
研究了纤锌矿(WZ)耦合InGaN/GaN量子点(QDs)的载流子占据和带间跃迁概率随量子点间距d(30-70?范围内)的变化关系。发光强度随间距d增大而快速下降，在d≈50?时达到最小值。这可解释为：由于内建电场增强，矩阵元数值随d增大显著减??；同时准费米能级间距在d=50?时呈现最小值。但当d超过50?后，由于准费米能级间距随d增大而增加，光强开始略有回升。这些结果可作为高效量子点光电器件有源区设计的指导依据。
作者：
Seoung-Hwan Park，Doyeol Ahn
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