研究目的
在连续波电偏置电流下研究InAs/InP量子点激光器室温下的双态激射条件。
研究成果
研究表明，通过优化间隔层厚度和量子点尺寸离散度，可在室温下实现InAs/InP量子点激光器的双稳态激射。这种优化能增强瓶颈效应和非均匀展宽，对降低相位与强度噪声、提升激光器性能至关重要。
研究不足
该研究是理论性的，依赖于建模假设。需要通过实验验证来确认研究结果。仿真中未包含增益压缩等额外非线性的影响。
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InAs/InP量子点在室温下的双态激光
DOI：10.1063/1.5110316
期刊：Journal of Applied Physics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
研究了连续波电偏置电流下InAs/InP量子点激光器在室温下的双态激射条件。发现适度减小量子点堆叠中的间隔层厚度并增加量子点尺寸离散度可促进激发态激射，其物理机制源于瓶颈效应增强和非均匀展宽增大。此外，理论证明具有高非均匀展宽的基态激射在高偏置电流下可能导致高相位和强度噪声。因此，适当的间隔层厚度与适当的非均匀展宽对基态和/或激发态激射至关重要，这有助于激光器几何结构的优化设计。
作者：
Yiling Xiong，Xiupu Zhang
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