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上转换纳米粒子与光子晶体实现的多模光学编码图案

DOI：10.1088/1361-6528/ab4244 期刊：Nanotechnology 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 采用溶胶-凝胶法在n-Si(111)表面沉积了Al-Zr-ZnO薄膜。结果表明，由于离子掺杂浓度的增加，Al-Zr-ZnO薄膜的平均晶粒尺寸减小。XPS分析显示，Al-Zr-ZnO薄膜的表面缺陷氧减少。对于石墨烯/Al-Zr-ZnO肖特基接触，随着Al离子或Zr离子掺杂浓度的提高，势垒高度增加而理想因子降低，表明离子共掺杂增强了石墨烯/Al-Zr-ZnO肖特基接触的整流特性。这可以解释为离子掺杂减少了Al-Zr-ZnO薄膜的氧空位，从而减弱了费米能级钉扎效应。
作者： Jianhua Zhang，Gaoyang Zhao，Yapeng Li，Yingfeng Li，Wenyi Liu
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究Al-Zr共掺杂对石墨烯/氧化锌肖特基接触电学性能的影响。

研究成果

随着Al或Zr离子掺杂浓度的增加，Al-Zr-ZnO薄膜的平均晶粒尺寸减小。由于离子掺杂，Al-Zr-ZnO薄膜的表面缺陷氧减少。石墨烯/Al-Zr-ZnO肖特基接触的势垒高度升高而理想因子降低，表明离子共掺杂增强了石墨烯/Al-Zr-ZnO肖特基接触的整流特性。这被认为是由于离子掺杂减少了Al-Zr-ZnO薄膜的氧空位并减弱了费米能级钉扎效应。

研究不足

该研究仅限于Al-Zr共掺杂对石墨烯/氧化锌肖特基接触电学性能的影响。潜在的优化方向包括掺杂浓度和退火温度。

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