研究目的
研究高质量封装的石墨烯量子点在太赫兹光照下的电子输运和光电流特性。
研究成果
高质量封装石墨烯量子点的制备使得稳定的库仑菱形结构及间距为0.4太赫兹的激发态得以观测。该研究还证明了器件对太赫兹辐射的敏感性，揭示出非线性化学势重整化效应。这些发现为石墨烯量子点在太赫兹技术及基础物理研究中的应用开辟了新途径。
研究不足
该研究的局限性在于设备对太赫兹辐射的灵敏度以及化学势重整化过程中观察到的非线性效应。进一步优化设备设计和测量技术有助于加深对石墨烯量子点中光-物质相互作用的理解。
1：实验设计与方法选择：
研究涉及制备高质量封装的石墨烯量子点，并在太赫兹光照下进行输运谱测量。
2：样本选择与数据来源：
单层石墨烯和六方氮化硼薄片通过机械剥离法获得，并采用热拾取技术组装成异质结构。
3：实验设备与材料清单：
器件制备包括电子束光刻、反应离子刻蚀，以及使用具有太赫兹光学通路的稀释制冷机（He4-He3）。
4：实验流程与操作步骤：
通过测量不同栅压和偏压下的电流及微分电导（有无太赫兹光照两种条件）对器件进行表征。
5：数据分析方法：
分析数据以提取能级间距和化学势重整化效应。
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gold bow-tie antenna
For measurements under THz illumination
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dilution He4-He3 cryostat
Provides optical access at THz frequencies for the experiment
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e-beam lithography
Used to define the design of the quantum dot device and to obtain the HSQ resist mask
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Reactive Ion Etching
Used to etch the hBN-graphene sample to obtain the device
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