研究目的
探究银薄膜作为催化剂在生长氧化镓薄膜和纳米线方面的作用，用于高功率/高温器件及紫外纳米传感器。
研究成果
银作为氧化镓（Ga2O3）生长的催化剂材料，在大规模生产方面展现出巨大潜力。银中氧的溶解度和扩散率较高，这对增强氧化镓的生长机制起着关键作用。我们的研究成果可能为生长薄膜或纳米线提供一种简单、低成本且极具前景的技术，可应用于广泛的光电子和传感领域。
研究不足
Ga2O3晶圆的成本仍然高得令人望而却步，而自上而下和自下而上制备Ga2O3纳米结构的方法也尚未成熟。
1：实验设计与方法选择：
通过热氧化工艺探究银薄膜作为催化剂对Ga2O3生长增强的影响。
2：样品选择与数据来源：
使用石英衬底，经清洗后涂覆不同厚度（5纳米与300纳米）的银薄膜。
3：实验设备与材料清单：
石英衬底、银薄膜、Lesker溅射系统、OTF-1200X-50-SL卧式氧化铝管式炉、氧分析仪。
4：实验步骤与操作流程：
样品在O2与N2混合气体的受控气流中加热至1000°C并保持60分钟。
5：数据分析方法：
采用XRD、SEM、EDS及电学测量探究生长机制。
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