研究目的
研究不同量子阱数量的氮化镓基蓝光发光二极管在可见光通信中的静态与动态电学特性。
研究成果
开启电压随量子阱数量的增加而升高，在相应的开启电压下，含1个GaN/In0.16Ga0.84N量子阱的发光二极管具有最小电容。含1个GaN/In0.16Ga0.84N量子阱的LED响应速度最快，通信带宽最大。
研究不足
该研究基于Silvaco TCAD的数值模拟，可能无法完全捕捉所有现实物理现象。未提供实验验证。
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用于可见光通信的氮化镓基蓝光发光二极管的静态与动态分析
DOI：10.1007/s12596-019-00564-8
期刊：Journal of Optics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
采用Silvaco技术计算机辅助设计软件对不同量子阱数量的氮化镓基蓝光发光二极管的静态与动态电学特性进行了数值研究，这些特性对可见光通信研究至关重要。作为影响发光二极管响应时间的因素，本文详细分析了随外加偏压、调制频率及量子阱数量变化的电容特性。此外，首次通过Silvaco模拟了发光二极管的响应时间（包括光学上升时间和下降时间），并据此计算出无外接电路时发光二极管的纯3dB带宽，从而为可见光通信应用自行设计具有最佳带宽的本研究所述发光二极管等半导体器件提供依据。
作者：
Huifeng Fang，Yi’an Yin，Huaimin Gu，Guanghan Fan，Tao Zhang，Shuwen Zheng
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