研究目的
通过采用ICP刻蚀制备的凹凸圆复合结构侧壁，在不损害电学特性的前提下提高微LED的光效。
研究成果
凹凸圆形复合结构侧壁是增加GaN侧壁出光光子数的有效方法，在不恶化电学特性的前提下使光输出功率提升了7.2%。该方法对高效微LED应用具有良好前景。
研究不足
该研究聚焦于通过侧壁改性提升光提取效率，但未探究其对显色指数或热管理等其他LED性能指标的影响。
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基于凹凸圆形复合结构侧壁的InGaN基微发光二极管光提取效率增强
DOI：10.3390/app9173458
期刊：Applied Sciences
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
我们证明，采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀制备的凹凸圆复合结构侧壁，是提高微发光二极管（LED）光效而不损害电学特性的有效方法。使用半径为2微米的凹凸圆复合结构侧壁的器件，其饱和光输出功率达到39.75毫瓦，较采用平面侧壁的器件提升了7.2%。光输出特性的增强主要归因于通过减少全内反射（同时不损失有源区面积）增加了光子发射量。
作者：
Lijun Tan，Quanbin Zhou，Wenlong Hu，Hong Wang，Ruohe Yao
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