研究目的
通过采用溅射制备的氧化锌锡电子传输层和热蒸镀的氧化钨电荷限制层，提升CdSe/ZnS量子点发光二极管的电荷平衡与性能。
研究成果
该研究通过优化ZTO电子传输层沉积工艺并添加WOx载流子调节层，显著提升了量子点发光二极管（QD-LED）的性能。同时优化ZTO电子传输层和WOx载流子调节层的QD-LED展现出更优异的亮度和电流效率。该发现为改善量子点发光二极管的电子-空穴平衡及性能提供了实用方法，并为分析载流子行为提供了可靠技术手段。
研究不足
该研究承认，要超越基于纳米颗粒电子传输层的量子点发光二极管的性能，仍需进一步改进。对于实际应用而言，采用非纳米颗粒电子传输层的量子点发光二极管的性能也应得到提升。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用倒置混合结构量子点发光二极管（QD-LEDs），底部为阴极与无机电子传输层（ETL），顶部为有机空穴传输层（HTL）与阳极。优化了反应磁控溅射制备ZTO ETL的工艺，并采用热蒸镀WOx载流子调节层（CRL）改善电子-空穴平衡。
2：样品选择与数据来源：
器件制备使用ITO镀膜玻璃基底。发光层（EML）采用CdSe/ZnS核壳量子点，HTL材料选用TAPC。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于ZTO沉积的脉冲直流磁控溅射系统、用于WOx CRL沉积的真空热蒸发系统，以及结合光谱辐射计的I-V-L测试仪进行器件表征。
4：实验流程与操作步骤：
制备过程包含ITO阴极表面清洗改性、WOx CRL与ZTO ETL沉积、量子点EML旋涂，以及HTL、HIL和阳极的蒸镀。
5：数据分析方法：
采用阻抗谱分析载流子注入与复合行为，通过测量I-V-L特性评估器件性能。
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获取完整内容-
X-ray photoelectron spectroscopy
K-Alpha
Thermo Scientific Co.
Used for measuring the chemical bonding states and atomic composition ratios of the ZTO films.
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Ultraviolet photoelectron spectroscopy
AXIS Ultra DLD
Kratos Inc.
Used for extracting the energy band parameters of each unit layer of the QD-LED.
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Ultraviolet-visible spectrophotometer
UV-PC1650
Shimadzu Co.
Used for extracting the optical band gap values from the absorbance curves.
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ITO-coated glass substrates
Geomatec
Used as the substrate for device fabrication.
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CdSe/ZnS core-shell QDs
Zeus
Used for depositing the emission layer (EML).
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TAPC
Used as the hole transport layer (HTL) material.
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WOx
Used as the charge-restricting layer (CRL) and hole injection layer (HIL) material.
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Ag
Used as the anode material.
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Polaronix M6100IVL
M6100IVL
McScience
Used for measuring the current–voltage–luminance (I–V–L) characteristics of the fabricated QD-LEDs.
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Spectrascan-PR650
PR650
Photo Research
Used as a spectroradiometer combined with the I–V–L tester.
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CompactStat
Ivium Tech.
Used for impedance spectroscopy (IS) analysis.
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Semiconductor parameter analyzer
HP4145B
Hewlett Packard Inc.
Used for measuring the electrical properties of the ZTO films.
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