研究目的
研究金纳米棒与CdSe/CdZnS量子点静电复合物中的等离子体增强荧光现象，重点关注量子点浓度与增强因子之间的关系，以及量子点在金纳米棒表面位置的影响。
研究成果
研究表明，荧光增强因子与金纳米棒-量子点复合物中量子点的浓度成反比。最大增强因子出现在量子点相对浓度最低且两者间距约5纳米的复合物中。量子点在金纳米棒表面的位置至关重要，仅靠近纳米棒端部的位置能产生增强效应。
研究不足
该研究仅限于金纳米棒和CdSe/CdZnS量子点特定体系。荧光增强效应高度依赖于等离子体纳米颗粒与发光体之间的距离，且最佳距离并非适用于所有体系。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及金纳米棒（GNRs）和CdSe/CdZnS量子点（QDs）的合成，随后在其间形成静电复合物。通过用聚电解质（PE）层包覆GNRs来控制GNRs与QDs之间的距离。在532纳米连续波Nd激光激发下研究了荧光增强效应。
2：样品选择与数据来源：
GNRs采用种子介导生长法合成，QDs经合成后实现水溶性处理。通过将QDs按特定QD/GNR比例添加至GNRs溶液中形成复合物。
3：实验设备与材料清单：
透射电子显微镜（TEM）图像使用日立S-806 TEM/SEM电子显微镜获取?？杉?近红外光谱采用Cary 500 Scan紫外-可见/近红外分光光度计测量。Zeta电位通过马尔文Zetasizer Nano ZS90测定。荧光检测使用液氮冷却电荷耦合器件（CCD）配合光栅光谱仪进行。
4：实验流程与操作步骤：
包括GNRs和QDs的合成、GNRs的PE层包覆、GNR-QD复合物形成及荧光测量等环节。
5：数据分析方法：
荧光增强因子计算为入射场强度增强与纳米粒子附近辐射/非辐射速率调制导致的量子效率变化的乘积。
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