研究目的
研究采用溅射AlN缓冲层的GaInN基绿光LED与常规低温GaN缓冲层相比，反向漏电流特性的改善情况。
研究成果
研究表明，在基于GaN的绿色LED中，用SP-AlN缓冲层替代LT-GaN缓冲层能通过抑制变程跳跃过程显著改善反向漏电流特性。这一改进归因于穿透位错和V型缺陷的减少，从而提升了器件的可靠性、使用寿命及电学稳健性。
研究不足
本研究仅限于基于氮化镓铟的绿色发光二极管，并重点关注反向漏电流特性。研究结果可能无法直接适用于其他类型的发光二极管或光电器件。
1：实验设计与方法选择：
本研究制备了两种基于GaInN的LED，分别生长在c面蓝宝石衬底上，其中一组采用SP-AlN缓冲层，另一组采用传统LT-GaN层。SP-AlN缓冲层通过溅射技术沉积，LT-GaN缓冲层则采用金属有机气相外延（MOVPE）法生长。
2：样本选择与数据来源：
通过反向偏压条件下的Keithley半导体参数分析仪测量样品的I-V和C-V曲线进行表征。
3：实验设备与材料清单：
使用烧结AlN靶材、Ar-N?混合气体及蓝宝石衬底。
4：实验流程与操作步骤：
在受控条件下沉积SP-AlN层，两组样品的绿色LED外延结构生长工艺完全一致。
5：数据分析方法：
基于I-V和C-V特性分析反向漏电流的导电机理。
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获取完整内容-
Keithley semiconductor parameter analyzer
Keithley
Measuring I–V and C–V curves under reverse bias
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sintered AlN target
Used for deposition of the SP-AlN buffer layer
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Ar–N2 gas mixture
Used as the sputtering gas
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c-sapphire substrate
Substrate for growing GaInN-based LEDs
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