研究目的
研究钝化孔蚀刻对底部发光AMOLED显示器中ITO和金属接触的影响。
研究成果
研究表明，当光伏薄膜均匀性良好时，腐蚀不会显著影响ITO与金属电极之间的接触。然而，光伏薄膜均匀性较差会导致过蚀刻加剧，从而引发金属腐蚀并降低面板性能。最佳效果是在PLN图案化之后进行光伏孔蚀刻时实现的。
研究不足
该研究的局限性在于光伏薄膜的均匀性条件以及特定蚀刻顺序下可能发生的金属腐蚀，这可能会影响ITO与金属电极之间的接触。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用三种不同的钝化孔刻蚀顺序，以考察其对ITO与源/漏电极接触的影响。
2：样品选择与数据来源：
实验在带有白色OLED和彩色滤光片顶栅自对准a-IGZO TFT背板上进行。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于SiO2层沉积的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、用于观察的扫描电镜（SEM）和光学显微镜（OM），以及用于分析的测试结构（TEG）。
4：实验流程与操作步骤：
该过程包括在三种不同顺序下的PV孔刻蚀、RGB图案化和PLN图案化，随后进行ITO沉积与图案化。
5：数据分析方法：
测量M2与ITO之间的接触电阻（Rc），并分析结果以评估刻蚀顺序的影响。
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获取完整内容-
PECVD
Deposition of SiO2 layer as the passivation
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SEM
Observation of top view images and cross-section structure of Source/Drain metal
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OM
Observation of top view images and cross-section structure of Source/Drain metal
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TEG
Analysis of microscopic status and Rc between M2 and ITO
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