研究目的
研究利用横向和纵向氮化钛等离子体纳米光栅实现陷光效应以提升薄膜硅太阳能电池性能。
研究成果
所提出的横向与纵向TiN纳米光栅阵列设计方案显著提升了薄膜硅太阳能电池的性能,实现了宽带吸收增强和光电转换效率的提高。该设计证实了TiN纳米光栅在提升薄膜光伏系统性能方面的卓越效能。
研究不足
该研究在进行进一步电学计算时未考虑TiN条带内部的损耗。此外,光电流计算未计入接触区域(阴影部分),而该部分已包含在电学模拟中。
研究目的
研究利用横向和纵向氮化钛等离子体纳米光栅实现陷光效应以提升薄膜硅太阳能电池性能。
研究成果
所提出的横向与纵向TiN纳米光栅阵列设计方案显著提升了薄膜硅太阳能电池的性能,实现了宽带吸收增强和光电转换效率的提高。该设计证实了TiN纳米光栅在提升薄膜光伏系统性能方面的卓越效能。
研究不足
该研究在进行进一步电学计算时未考虑TiN条带内部的损耗。此外,光电流计算未计入接触区域(阴影部分),而该部分已包含在电学模拟中。
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