研究目的
研究外电场驱动下BaTiO3/La0.7Sr0.3MnO3层状异质结构中的电阻开关行为。
研究成果
研究表明，LSMO薄膜的输运行为对BTO层间外电场敏感，不同极性的电场可引发两个确定电阻态间的阻变切换。当BTO层中负电场诱导空穴积累时，电阻率降低而TMI升高；反之，在空穴耗尽状态下，电阻率升高而TMI降低。
研究不足
论文中未明确提及实验的技术和应用限制，以及潜在的优化领域。
1：实验设计与方法选择：
采用脉冲激光沉积（PLD）技术在(001)取向的STO衬底上生长BTO/LSMO层状异质结构。通过X射线衍射测量检查晶体结构和择优取向。使用台阶仪测量BTO和LSMO薄膜的厚度。采用原子力显微镜扫描LSMO薄膜表面形貌，并通过磁力显微镜图像显示其磁构型。
2：样品选择与数据来源：
使用化学计量比的BaTiO3和La0.7Sr0.3MnO3陶瓷靶材生长相应的BTO/LSMO层状异质结构。
3：7Sr3MnO3陶瓷靶材生长相应的BTO/LSMO层状异质结构。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：采用波长248 nm、能量密度1.5 J/cm2、频率5 Hz的脉冲KrF准分子激光进行薄膜沉积。衬底温度为700°C，保持10 Pa的流动氧压。
4：5 J/cm2、频率5 Hz的脉冲KrF准分子激光进行薄膜沉积。衬底温度为700°C，保持10 Pa的流动氧压。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：先在(001)取向的STO单晶衬底上外延生长LSMO薄膜，再在其上制备BTO薄膜。最后将沉积的BTO/LSMO层状异质结构在1000 Pa氧压下进行原位退火。
5：数据分析方法：
使用铁电性能分析仪记录铁电回线，并检测电阻率依赖关系。
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X-ray diffraction measurement
Bruker D8 advance
Bruker
Used to check the crystal structure and preferred orientation of the layered heterostructure
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pulsed KrF excimer laser
248 nm
Used for film deposition
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step profiler
ET150
Kosaka
Used to survey the thickness of the BTO and LSMO films
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Atomic Force Microscope
Ntegra Prima
NT-MDT
Used to scan the LSMO film surface morphology
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ferroelectric performance analyzer
TF2000
aixACCT
Used to record the ferroelectric loops
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Versa lab
Quantum Design
Used to detect the dependence of resistivity
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