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[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥 (2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 提高硅衬底上InAs量子点激光器的可靠性

DOI：10.1109/IPCon.2019.8908457 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 利用关联电子显微镜技术，我们表征了InAs量子点（QD）结构中的光电特性和位错结构属性。结果表明，尽管位错显著影响量子点的发光性能，但与量子阱结构相比，位错攀移增强的复合速率在老化过程中明显减缓。
作者： Jennifer Selvidge，Justin Norman，Daehwan Jung，Eammon Hughes，Michael Salmon，John Bowers，Robert Herrick，Kunal Mukherjee
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究InAs量子点（QD）结构中位错的结构和光电特性，以了解其对量子点发光和老化过程的影响。

研究成果

关联电子显微镜技术为量子点样品中位错的光电和结构特性提供了有价值的见解。位错在横向数百纳米范围内对量子点发光有显著影响，但在垂直堆叠中仅局限于数十纳米范围。与量子阱器件相比，量子点减缓了攀移速率，表明其缺陷耐受性和可靠性更优。进一步降低穿透位错密度仍是提升可靠性的关键问题。

研究不足

该研究聚焦于硅衬底上的InAs量子点结构，其发现可能并不直接适用于其他材料或构型。老化过程是在35°C下模拟的，这可能无法完全代表所有工业条件。

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