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量子点特性对混合SET-FET电路性能的影响

DOI:10.1109/TED.2019.2937141 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 量子点(QDs)可作为导电岛构建单电子晶体管(SETs)。量子点的特性决定了单电子晶体管的功能性能。因此,分析量子点尺寸变化对混合SET-FET电路性能的影响具有重要意义。我们采用自主开发的单电子晶体管紧凑模型(该模型通过三维量子力学模拟校准以获得真实参数),提出了一种改善电路性能(即提高输出电流)的方法。研究结论表明:量子点尺寸变化对整体电路性能的影响最为显著。
作者: E. Amat,F. Klüpfel,J. Bausells,F. Perez-Murano
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研究概述 实验方案 设备清单

研究量子点尺寸变化对混合单电子晶体管-场效应晶体管电路性能的影响。

量子点尺寸的变化对混合SET-FET电路的整体行为影响最大。通过在FET器件的源极端引入额外的电压源,可以通过增加输出电流来提高电路性能。

对于量子点尺寸小于5纳米的情况,该紧凑模型的准确性会降低,并且会高估量子点的有效带隙。该模型在描述漏极电压高于100毫伏时的单电子晶体管特性方面也存在局限性。

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