研究目的
研究量子点尺寸变化对混合单电子晶体管-场效应晶体管电路性能的影响。
研究成果
量子点尺寸的变化对混合SET-FET电路的整体行为影响最大。通过在FET器件的源极端引入额外的电压源,可以通过增加输出电流来提高电路性能。
研究不足
对于量子点尺寸小于5纳米的情况,该紧凑模型的准确性会降低,并且会高估量子点的有效带隙。该模型在描述漏极电压高于100毫伏时的单电子晶体管特性方面也存在局限性。
研究目的
研究量子点尺寸变化对混合单电子晶体管-场效应晶体管电路性能的影响。
研究成果
量子点尺寸的变化对混合SET-FET电路的整体行为影响最大。通过在FET器件的源极端引入额外的电压源,可以通过增加输出电流来提高电路性能。
研究不足
对于量子点尺寸小于5纳米的情况,该紧凑模型的准确性会降低,并且会高估量子点的有效带隙。该模型在描述漏极电压高于100毫伏时的单电子晶体管特性方面也存在局限性。
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