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双介质微片激光器产生具有双横模、双偏振和双频率的激光及其热特性

DOI：10.1109/jphot.2019.2934637 期刊：IEEE Photonics Journal 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 一种采用沟槽肖特基阳极和混合沟槽阴极的AlGaN/GaN横向反向阻断电流调节二极管（RB-CRD）已在硅衬底上提出并实验验证。集成于阳极的肖特基势垒二极管（SBD）开启电压为0.7V，反向击穿电压达260V?；旌瞎挡垡跫魑胙艏玈BD串联的CRD，使RB-CRD获得1.3V膝点电压及超过200V的正向工作电压。该RB-CRD能在25至300°C宽温域输出优异稳态电流，且正向调节电流呈现小于?0.152%/°C的微弱负温度系数。
作者： Anbang Zhang，Qi Zhou，Chao Yang，Yuanyuan Shi，Wanjun Chen，Zhaoji Li，Bo Zhang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究一种新型的基于硅衬底的AlGaN/GaN横向反向阻断电流调节二极管（RB-CRD），该二极管具有沟槽肖特基阳极和混合沟槽阴极。

研究成果

这款采用沟槽肖特基阳极和混合沟槽阴极的AlGaN/GaN-on-Si RB-CRD新型器件展现出卓越性能：膝点电压1.3V，正向工作电压超过200V，反向击穿电压达260V。该器件在宽温域范围内保持稳定运行且温度系数极低，显示出集成至氮化镓功率电子系统的高度潜力。

研究不足

该研究仅限于硅衬底上RB-CRD的特定设计。未探究超过300°C或更高电压下的极端条件性能。未详细说明制造工艺变化对器件性能的影响。

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