研究目的
利用原位偏压和离轴电子全息术研究Zn2N3纳米线的掺杂与表面电荷特性。
研究成果
该研究成功展示了利用原位偏置和离轴电子全息术测量Zn2N3纳米线中的掺杂和表面电荷,从而深入揭示了其光电特性。
研究不足
该技术受限于电子显微镜的分辨率以及原位偏压装置的稳定性。
研究目的
利用原位偏压和离轴电子全息术研究Zn2N3纳米线的掺杂与表面电荷特性。
研究成果
该研究成功展示了利用原位偏置和离轴电子全息术测量Zn2N3纳米线中的掺杂和表面电荷,从而深入揭示了其光电特性。
研究不足
该技术受限于电子显微镜的分辨率以及原位偏压装置的稳定性。
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