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InAs/GaAs量子点超晶格太阳能电池中的束缚-连续带内跃迁特性

DOI：10.7567/1882-0786/ab56ef 期刊：Applied Physics Express 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 我们研究了具有5 kV cm?1内建电场的InAs/GaAs量子点超晶格(QDSL)太阳能电池中的带间与带内激发密度以及偏振依赖的光电流。对于垂直入射光，观察到几乎不受偏振影响的带内跃迁，而由于导带与价带之间的混合导致了带内跃迁的轻微各向异性。此外，由于电子在QDSL微带中的传输，在p-i-n太阳能电池器件中观察到了可饱和的双色光电流。
作者： Yukihiro Harada，Shigeo Asahi，Takashi Kita
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究InAs/GaAs量子点超晶格太阳能电池中束缚-连续带内跃迁特性，以理解价带混合对带内跃迁的影响。

研究成果

研究表明，由于微带形成导致的电子-空穴分离，InAs/GaAs量子点超晶格太阳能电池实现了高效的两步光子吸收。在正入射光条件下，带内跃迁几乎不受偏振影响，微弱的各向异性源于导带与价带的混合效应。观测到沿量子点超晶格微带的电子输运现象，这表明中间带太阳能电池中两步光子吸收过程具有增强潜力。

研究不足

该研究在低温（约10 K）下进行，限制了研究结果对室温条件的适用性。带内跃迁的极化各向异性虽小，但仍可能影响非偏振入射光的转换效率。

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