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氧化铜量子点的合成：表面修饰剂的影响

DOI：10.1088/2053-1591/ab548d 期刊：Materials Research Express 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 通过沉淀法合成了氧化铜量子点。采用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、聚山梨酯80（Tween 80）和十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）等不同表面修饰剂调控CuO纳米粒子的尺寸与形貌，研究了表面修饰剂类型等参数对样品带隙、结构及微观形貌的影响。所有样品均呈现量子限域效应：带隙展宽、尺寸小于玻尔半径及吸收边蓝移。Tween-80作用下棒状形貌向CTAB体系中纺锤状形貌的转变，证实了表面修饰剂对CuO粒子包覆的关键作用。成功制备出平均晶粒尺寸2.3 nm、带隙2-2.5 eV的氧化铜量子点。其中CTAB修饰的纳米粒子因在pH=7.5时具有最高zeta电位值（28.1 mV）而表现出优异的分散性。
作者： Fatemeh Piri，Mahdi Shafiee Afarani，Amir Masoud Arabi
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

氧化铜量子点的合成及表面修饰剂对其性能影响的研究。

研究成果

采用表面修饰剂通过沉淀法成功合成了平均晶粒尺寸为2.3纳米、带隙为2-2.5电子伏特的氧化铜量子点。表面修饰剂的类型显著影响纳米颗粒的形貌、带隙和分散性。由于CTAB具有最高的zeta电位值，其提供了最佳的分散效果。

研究不足

该研究聚焦于具有特定表面修饰剂的氧化铜量子点的合成与表征。不同表面修饰剂之间的对比有限，且该研究未探索这些量子点在器件或系统中的应用。

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