研究目的
本研究的目的是利用硫化镉量子点修饰的氧化镉薄膜中间层制备新型光电探测器，并比较该器件的形貌、光电及电学特性。另一研究目标是制备具有高性能的光电探测器，通过高效收集光生载流子并将其传输至电极，实现快速响应和高增益。
研究成果
所制备的Al/CdS-CdO/p-Si/Al器件可作为具有良好性能的光电探测器，用于推动光电探测技术的发展。此外，基于其电学特性，该器件也可用作光电二极管。
研究不足
由于晶体缺陷、表面缺陷以及结晶度低，所制备的光电探测器性能远未达到预期。
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SILAR法控制的CdS纳米颗粒敏化CdO二极管基光电探测器
DOI：10.1007/s12633-019-00266-7
期刊：Silicon
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
在本研究中，我们制备了Al/CdS纳米颗粒-CdO/p-Si/Al光电探测器，并针对不同光电子应用研究了其光学和电学特性。采用溶胶-凝胶旋涂法在硅基底上覆盖CdO薄膜，随后通过SILAR技术构建CdS纳米颗粒。为分析所制光电探测器的形貌与光学特性，采用场发射扫描电子显微镜和紫外-可见光谱仪进行表征，通过这些分析测定薄膜带隙为2.17 eV。在不同光照强度条件下研究了电流随电压变化的行为，并据此计算出重要二极管参数。计算结果显示：势垒高度为0.49 eV，理想因子为3.2，光电探测器光响应值约为2.65×103。此外，还针对不同光照条件检测了瞬态光电流和光电容特性。最后通过电容/电导-电压(C/G-V)测量计算了界面态参数。
作者：
Bestoon Anwer Gozeh，Abdulkerim Karabulut，Abdulkadir Yildiz，A. Dere，Bilal Arif，Fahrettin Yakuphanoglu
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