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2018年全印度光伏组件可靠性调查中观测到的现场衰减率分析

DOI：10.1109/JPHOTOV.2019.2954777 期刊：IEEE Journal of Photovoltaics 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 本文介绍了《2018年全印度光伏组件可靠性调查》中观察到的采用c-Si技术的光伏组件性能退化分析。退化速率与组件使用年限、系统规模、安装配置及部署气候相关联。通过目视检测、红外成像和电致发光成像，识别出导致某些站点出现较高退化速率的关键故障模式。研究发现，电势诱导衰减是造成年轻站点高退化速率的主要机制。此外，在炎热气候和屋顶环境部署会加速组件退化。报告还针对历次全印度调查中已检测站点，呈现了多节点退化速率分析结果。
作者： Yogeswara Rao Golive，Sachin Zachariah，Rajiv Dubey，Shashwata Chattopadhyay，Sonali Bhaduri，Hemant K. Singh，Birinchi Bora，Sanjay Kumar，A.K. Tripathi，Anil Kottantharayil，Juzer Vasi，Narendra Shiradkar
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

调查《2018年全印度光伏组件可靠性调查》中观察到的采用c-Si技术的光伏组件性能退化情况，并将退化速率与组件使用年限、系统规模、安装配置及部署气候相关联。

研究成果

研究发现，"年轻"组件的衰减速度比"老旧"组件更快，其中电势诱导衰减（PID）是重要诱因。高温气候及屋顶安装的组件表现出加速衰减现象。多点分析与两点分析得出的衰减率具有可比性，验证了数据的有效性。这些发现强调了应对PID问题并改进安装工艺以提升光伏组件可靠性的必要性。

研究不足

该研究仅限于印度的晶体硅光伏组件，其分析结果可能不适用于其他技术或地区。由于光致衰减（LID）导致的初始快速衰减未被计入，这可能未能完全反映早期衰减的全貌。部分站点显示出较高的衰减率却无明确故障模式，表明可能存在尚未识别的因素。

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