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[IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019年化合物半导体周（CSW）- 1.52微米单模InAs/InP量子点激光器发射线宽的热依赖性

DOI：10.1109/iciprm.2019.8819315 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 本文通过实验研究了1.52微米单模InAs/InP量子点激光器发射线宽的温度依赖性。采用对称抗反射涂层构成的分布反馈腔，测得最小线宽为300千赫。该窄线宽在注入电流和温度范围（293K-313K）内保持相对稳定。但在特定工作条件下也观察到线宽重新展宽现象，这可能源于光谱烧孔效应以及α因子随温度和偏置电流的变化。这些结果证实了该技术在制造相干光通信用低相位噪声振荡器方面的潜力。
作者： J. Duan，B. Dong，H. Huang，Z. G. Lu，P. J. Poole，F. Grillot
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究1.52微米单模InAs/InP量子点激光器发射线宽的热稳定性。

研究成果

我们展示了一种量子点分布反馈激光器（QD DFB），在293 K至313 K温度范围内，其稳定窄线宽输出可达阈值功率三倍以上，总输出功率约10毫瓦。后续研究还将探索原生砷化镓衬底及硅衬底上制备的量子点激光器。总体而言，这些结果表明量子点能直接作为解决方案，生产符合相干接收器要求的窄线宽振荡器。

研究不足

重新展宽的起源仍在研究中，可能是由于光谱烧孔（例如载流子加热）以及α因子（驱动线宽）随温度和偏置电流的变化所致。

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