研究目的
研究高质量二维Cu9S5纳米片的合成及其在高灵敏度p-n异质结光电探测器中的应用。
研究成果
该研究成功采用盐辅助化学气相沉积法合成了高结晶度p型半导体Cu9S5纳米片。Cu9S5/MoS2异质结构展现出强界面耦合效应，具有高光电响应度和探测率，使Cu9S5成为光电子应用领域极具前景的材料。
研究不足
由于Cu9S5具有非范德华结构特性且倾向于各向同性生长，其合成具有挑战性。精确调控铜源用量是实现Cu9S5纳米片厚度控制的关键。
1：实验设计与方法选择：
采用盐辅助化学气相沉积（CVD）法合成了Cu9S5纳米片，该方法促进各向异性生长。
2：样品选择与数据来源：
在云母衬底上合成了高质量单晶Cu9S5纳米片。
3：实验设备与材料清单：
以CuO和NaCl为铜源，硫粉为硫源，云母为生长衬底。
4：实验步骤与操作流程：
将CuO和NaCl混合物置于管式炉中心区，硫粉置于入口处，升温至800°C保持5分钟后冷却。
5：数据分析方法：
通过光学显微镜、SEM、AFM、TEM、拉曼光谱、PL光谱和XPS对合成的纳米片进行表征。
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CuO
Sinopharm
Used as copper source in the synthesis of Cu9S5 nanoflakes.
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NaCl
Sinopharm
Used to reduce the melting point of copper source and promote anisotropic growth.
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Sulfur powders
Alfa
Used as sulfur source in the synthesis of Cu9S5 nanoflakes.
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Cr/Au
10/50 nm
Used for electrode deposition in device fabrication.
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