研究目的
研究氧含量对脉冲激光沉积法制备的LaFeO3钙钛矿薄膜光电化学性能的影响。
研究成果
研究表明，脉冲激光沉积过程中氧分压对LaFeO3薄膜的结构和光电化学性能具有显著影响。最佳氧含量可形成高质量晶体结构并提升光电化学性能。
研究不足
该研究仅限于氧分压对LaFeO3薄膜性能的影响。研究结果可能不直接适用于其他钙钛矿材料或沉积方法。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积法（PLD）在不同氧分压条件下于Nb:SrTiO3衬底上制备LaFeO3薄膜，并分析其结构、形貌及光电化学特性。
2：样品选择与数据来源：
LaFeO3薄膜制备的氧分压条件为5×10?2、0.25、0.3、0.6和0.9 mbar。
3：6和9 mbar。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：使用ArF准分子激光器（193 nm）进行PLD沉积，通过高分辨X射线衍射（HRXRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）和光电化学（PEC）测试进行表征。
4：实验流程与操作步骤：
薄膜在750°C衬底温度下沉积，采用HRXRD分析结构特性，AFM观测表面形貌，XPS测定化学成分，PEC测试在NaOH碱性水溶液中进行。
5：数据分析方法：
运用Williamson-Hall类方法解析结构数据，通过光电流值评估析氢性能。
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获取完整内容-
ArF excimer laser
Used for pulsed laser deposition of LaFeO3 thin films.
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