研究目的
验证精确的HEMT开关开/关状态小信号建模方法在模拟衰减器应用中的扩展适用性。
研究成果
多偏置S参数验证成功地将精确的HEMT开关开/关状态小信号建模流程扩展到更广泛的应用范围。该模型可用于开关、数字（阶跃）衰减器和模拟衰减器。
研究不足
小信号本征模型应进一步扩展，以适用于大信号（高功率）应用中的正Vds偏置和负Vds偏置情况。
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[IEEE 2019年第14届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 法国巴黎 (2019.9.30-2019.10.1)] 2019年第14届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 用于压控衰减器应用的高电子迁移率晶体管小信号建模
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[IEEE 2019年第14届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 法国巴黎 (2019.9.30-2019.10.1)] 2019年第14届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 用于压控衰减器应用的高电子迁移率晶体管小信号建模
DOI：10.23919/EuMIC.2019.8909420
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
展示了多偏置条件下实测与仿真的S参数，以验证精确的HEMT开关开/关状态小信号建模方法向模拟衰减器应用的扩展。仅通过共栅极实际测试结构（不含栅极电阻），就实现了带栅极电阻的HEMT在多偏置条件下实测与仿真S参数的良好吻合。这不仅证实了该建模方法对数字和模拟衰减器应用均有效，还验证了电容网络及提取方法在更多偏置条件下的适用性。
作者：
Yuan Tao，Zhi Fu Hu，Yong Fan，Ya Nan Liu，Mei Lin He，Yu Jian Cheng，Bo Zhang
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