研究目的
研究受控激光辐照对二维PdSe2薄膜的直接烧蚀和相变作用，以实现按需器件制备。
研究成果
已证实可实现PdSe2向金属态PdSe2?x的激光诱导相变，从而为器件制备提供空间选择性相转换。该方法为创建具有更高导电性和迁移率的异相同质结提供了可扩展途径，在下一代电子设备领域极具应用前景。
研究不足
该研究受限于材料对激光功率的敏感性，需精确控制才能在不完全烧蚀的情况下实现预期转变。该技术在大面积上的可扩展性和均匀性尚待进一步探索。
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二维PdSe?薄膜的直接激光图案化与相变实现按需器件制备
DOI：10.1021/acsnano.9b06892
期刊：ACS Nano
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
原子级薄二维层中的异相同质结形成对下一代纳米电子学和光电子学应用具有重要意义。其中，过渡金属硫族化合物半导体相与金属相之间的可控转变（技术上极具挑战性）尤为重要。我们证明：通过高功率激光辐照可直接烧蚀PdSe?薄膜，而采用较低激光功率则能触发PdSe?向金属相PdSe???的局部转变。这种转变之所以可行，是由于PdSe?相较于其他二维过渡金属二硫化物具有较低的分解温度和多种稳定相态。扫描透射电子显微镜揭示了激光诱导产生的PdSe?缺硒相。该工艺对激光功率的敏感性实现了无光刻胶器件的灵活图案化。激光图案化器件表明：激光诱导产生的金属相PdSe???具有稳定性，其导电率较PdSe?提升约20倍。这些发现有助于开发具有同质结的纳米级器件，并为二维材料结构转变提供可扩展的方法。
作者：
Viktoryia Shautsova，Sapna Sinha，Linlin Hou，Qianyang Zhang，Martin Tweedie，Yang Lu，Yuewen Sheng，Benjamin F. Porter，Harish Bhaskaran，Jamie H. Warner
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