研究目的
研究InAs量子点/GaAs波导的光学特性,以开发超快闪烁体,从而提高高能物理和医疗应用中的效率和时间分辨率。
研究成果
研究表明,GaAs基质中的InAs量子点可作为高效超快闪烁体,在室温下具有高达60%的光致发光效率。该波导材料自吸收低,衰减常数快达300皮秒,时间分辨率达70皮秒。这些特性使其成为需要高时间分辨率和效率应用的理想材料。
研究不足
该研究受限于量子点发光在波导中的高初始衰减,这影响了闪烁光子的收集效率。时间分辨率也受到电路噪声和带宽的限制。
研究目的
研究InAs量子点/GaAs波导的光学特性,以开发超快闪烁体,从而提高高能物理和医疗应用中的效率和时间分辨率。
研究成果
研究表明,GaAs基质中的InAs量子点可作为高效超快闪烁体,在室温下具有高达60%的光致发光效率。该波导材料自吸收低,衰减常数快达300皮秒,时间分辨率达70皮秒。这些特性使其成为需要高时间分辨率和效率应用的理想材料。
研究不足
该研究受限于量子点发光在波导中的高初始衰减,这影响了闪烁光子的收集效率。时间分辨率也受到电路噪声和带宽的限制。
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