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通过银辅助化学蚀刻制备的低反射率分级纹理硅,有望应用于太阳能电池

DOI:10.1016/j.matpr.2018.11.058 期刊:Materials Today: Proceedings 出版年份:2018 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: 本研究报道了在微纹理硅基底上制备硅纳米线的方法。采用银辅助无电化学蚀刻工艺制备纳米线,并通过扫描电子显微镜研究了氢氟酸浓度对形成动力学的影响。这种分级二元结构能将宽光谱范围(300-1100 nm)的太阳加权反射率(SWR)从抛光硅的无涂层状态(38%)降至<3%。实现如此低的反射率仅需<1 μm长度的纳米线。研究发现,在较低氢氟酸浓度下,纳米线优先沿<100>晶向生长;而随着浓度升高,在相同尺寸的微金字塔上同时发生<100>和非<100>(如<111>)晶向的蚀刻,最终形成三维微金字塔表面带有倾斜硅纳米线的二元结构。
作者: Prashant Singh,Sanjay K. Srivastava,Vijay Prajapati,B. Sivaiah,C.M.S. Rauthan,P.K. Singh
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研究概述 实验方案 设备清单

研究利用银辅助无电化学蚀刻法在微纹理硅衬底上制备硅纳米线,以降低太阳能加权反射率,为潜在的太阳能电池应用提供支持。

在P型(100)晶向抛光的硅片上成功制备的二元纹理结构,可在宽光谱范围内将反射率降至<3%。氢氟酸浓度会显著影响纳米线的形貌及刻蚀动力学过程,从而通过低成本、可扩展的工艺制备出具有目标取向和光学反射率的纳米线。

该研究仅限于氢氟酸浓度对所制备结构形貌及光学特性的影响。虽然注意到通过降低反射率提高转换效率的潜力,但该研究并未充分探究其对转换效率的影响。

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