研究目的
研究利用银辅助无电化学蚀刻法在微纹理硅衬底上制备硅纳米线,以降低太阳能加权反射率,为潜在的太阳能电池应用提供支持。
研究成果
在P型(100)晶向抛光的硅片上成功制备的二元纹理结构,可在宽光谱范围内将反射率降至<3%。氢氟酸浓度会显著影响纳米线的形貌及刻蚀动力学过程,从而通过低成本、可扩展的工艺制备出具有目标取向和光学反射率的纳米线。
研究不足
该研究仅限于氢氟酸浓度对所制备结构形貌及光学特性的影响。虽然注意到通过降低反射率提高转换效率的潜力,但该研究并未充分探究其对转换效率的影响。
研究目的
研究利用银辅助无电化学蚀刻法在微纹理硅衬底上制备硅纳米线,以降低太阳能加权反射率,为潜在的太阳能电池应用提供支持。
研究成果
在P型(100)晶向抛光的硅片上成功制备的二元纹理结构,可在宽光谱范围内将反射率降至<3%。氢氟酸浓度会显著影响纳米线的形貌及刻蚀动力学过程,从而通过低成本、可扩展的工艺制备出具有目标取向和光学反射率的纳米线。
研究不足
该研究仅限于氢氟酸浓度对所制备结构形貌及光学特性的影响。虽然注意到通过降低反射率提高转换效率的潜力,但该研究并未充分探究其对转换效率的影响。
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