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通过直流反应磁控溅射制备的氧化铜薄膜,其空穴迁移率达到创纪录的48.44 cm2/Vs,适用于钙钛矿太阳能电池应用

DOI:10.1016/j.solener.2019.08.080 期刊:Solar Energy 出版年份:2019 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: 已有研究报道将碘化亚铜和氧化亚铜作为空穴传输层(HTL)材料应用于钙钛矿太阳能电池(PSCs)。然而,这些薄膜在环境空气中的成分不稳定性和较差的导电性限制了其在PSCs中的应用。氧化铜(CuO)薄膜因其高导电性及在环境空气中的良好稳定性(尽管其空穴迁移率仍需进一步提升),有望成为PSCs的HTL材料。本研究通过直流反应磁控溅射法在室温下制备出具有p型导电性的单相单斜晶系CuO薄膜,从而具备低成本优势。当氧氩流量比(Ro/a)为1:3时制备的CuO薄膜结晶度最佳且呈现〈?1 1 1〉择优取向,实现了48.44 cm2/Vs的创纪录迁移率和0.50 Ω?cm的低电阻率。以该CuO作为HTL材料的PSCs获得了1.3%的光电转换效率,表明具有创纪录空穴迁移率的CuO薄膜可作为PSCs的HTL材料。
作者: Xiaoyong Gao,Yongli Du,Xue Meng
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研究概述 实验方案 设备清单

研究氧化铜(CuO)薄膜作为钙钛矿太阳能电池(PSCs)中空穴传输层(HTL)材料的应用,以提高其导电性及在环境空气中的稳定性。

通过直流反应磁控溅射成功制备了具有p型导电性的单相单斜晶系CuO薄膜,实现了48.44 cm2/Vs的创纪录空穴迁移率。这些薄膜可作为钙钛矿太阳能电池的空穴传输层材料,尽管目前效率较低,但显示出进一步改进的潜力。

以CuO作为HTL材料的PSCs实现了相对较低的1.3%光电转换效率,表明在薄膜质量和界面特性方面存在潜在的优化空间。

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