研究目的
研究深紫外（UV）激光对非晶硅掺杂氧化锡（a-STO）薄膜物理和电学性能的影响。
研究成果
深紫外激光处理通过提高a-STO薄膜的密度（同时保持低粗糙度和非晶结构）改善了其质量。该处理还增加了氧空位含量并拓宽了光学带隙，表明其电学性能可能得到提升。
研究不足
该研究未探究处理后薄膜的长期稳定性，也未评估激光处理工艺在工业应用中的可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用266纳米深紫外激光处理a-STO薄膜，以探究其对薄膜物理和电学性能的影响。
2：样品选择与数据来源：
a-STO薄膜通过磁控溅射法制备于玻璃基底上。
3：实验设备与材料清单：
薄膜处理使用266纳米深紫外激光仪器（AWAVE-266-1W20K，Inno Laser公司）。
4：实验步骤与操作流程：
采用50、60和70毫焦/平方厘米的激光能量密度处理薄膜，通过横向移动光束扫描整个薄膜表面。
5：60和70毫焦/平方厘米的激光能量密度处理薄膜，通过横向移动光束扫描整个薄膜表面。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：利用X射线反射仪（XRR）、原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱仪（XPS）和紫外-可见分光光度计测量薄膜的相位、厚度、密度和粗糙度。
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PANalytical X‐ray reflectometry
XRR system
PANalytical
Measuring the phase, thickness, density, and roughness of the films
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Thermo ESCALAB 250Xi X‐ray photoelectron spectrometer
XPS
Thermo
Analyzing the chemical composition of the films
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Shimadzu UV‐2600 UV‐Vis spectrophotometer
UV
Shimadzu
Measuring the transmittance spectrum of the sample
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AWAVE‐266‐1W20K
266‐nm nanosecond laser device
Inno Laser Company
Used for treating a‐STO thin films with deep UV laser
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BY3000 atomic force microscope
AFM
BY3000
Analyzing the surface morphology of the films
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