研究目的
开发具有创纪录效率、高亮度、卓越重现性、出色寿命以及异常稳定且饱和的红色发射的高性能胶体量子阱发光二极管（CQW-LEDs）。
研究成果
该研究展示了性能最佳的CQW-LED器件，其具有创纪录的效率、高亮度、卓越的重现性、出色的使用寿命以及异常稳定且饱和的红色发光。研究结果表明，HIS衬底生长的CQW材料能够实现高性能溶液法制备LED，为未来基于CQW的显示与照明技术铺平了道路。
研究不足
通过优化器件结构和封装技术，CQW-LEDs的稳定性有望进一步提升。薄膜形貌对器件性能的影响仍需深入研究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用热注射壳层（HIS）法生长CQWs，以实现近单位光致发光量子产率（PLQY）、减少非辐射通道、获得平滑薄膜并增强稳定性。
2：样品选择与数据来源：
以CdSe/Cd0.25Zn0.75S核/HIS CQWs作为LED的发光层。
3：25Zn75S核/HIS CQWs作为LED的发光层。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：器件结构包括ITO/ZnO/CQWs/CBP/MoO3/Al，其中CQWs旋涂于ZnO层上。
4：实验步骤与操作流程：
通过清洗CQWs减少配体后分散于甲苯中进行旋涂，基于外量子效率（EQE）、亮度和颜色稳定性评估器件性能。
5：数据分析方法：
采用EQE、亮度测量和颜色稳定性测试分析CQW-LEDs的性能。
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获取完整内容-
CdSe/Cd0.25Zn0.75S core/HIS CQWs
Emitting layer in LEDs
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ITO
Cathode in LEDs
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ZnO
Electron transporting layer in LEDs
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CBP
Hole transporting layer in LEDs
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MoO3
Hole injecting layer in LEDs
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Al
Anode in LEDs
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