研究目的
通过在黑硅表面引入硫化钼（MoSx）量子点，开发一种新型光电电极以增强光电化学析氢性能。
研究成果
MoSx/bSi异质结构光阴极在析氢反应中展现出优异的光电化学性能，这归因于bSi的高效光捕获能力和MoSx量子点的催化活性。该研究为开发硅基光电化学器件提供了新方法。
研究不足
该研究未探讨MoSx/bSi光阴极在8小时后的长期稳定性，也未讨论合成工艺的可扩展性及所用材料的成本效益。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过金属辅助化学刻蚀法（MACE）合成黑硅（bSi），并采用水热法结合超声处理制备MoSx量子点（QDs），随后通过滴涂技术将MoSx QDs沉积于bSi表面。
2：样品选择与数据来源：
以p型单面抛光（100）硅片为基底，采用XRD、场发射扫描电镜（FE-SEM）、透射电镜（TEM）、能谱仪（EDS）、X射线光电子能谱（XPS）、紫外-可见分光光度计及电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）进行样品表征。
3：实验设备与材料清单：
设备包括衍射仪（D/MAX2500V）、场发射扫描电镜（SU8020）、透射电镜（JEM-2100F）、X射线光电子能谱仪（ESCALAB 250）、紫外-可见分光光度计（UV-3600）及电感耦合等离子体质谱仪（7500）。材料包含Na2MoO4·H2O、H4SiO4(W3O9)4、CH3CSNH2及NMP。
4：0）、透射电镜（JEM-2100F）、X射线光电子能谱仪（ESCALAB 250）、紫外-可见分光光度计（UV-3600）及电感耦合等离子体质谱仪（7500）。材料包含Na2MoO4·H2O、H4SiO4(W3O9)CH3CSNH2及NMP。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：通过硅片清洗、硝酸银溶液刻蚀及银枝晶去除制备bSi；水热法合成MoSx QDs后经滴涂沉积于bSi；采用三电极体系在模拟太阳光下评估光电化学性能。
5：数据分析方法：
通过线性扫描伏安法、电化学阻抗谱（EIS）、莫特-肖特基测试及氢气析出速率的气相色谱分析评估光电化学性能。
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X-ray diffractometer
D/MAX2500V
Characterization of crystal structure
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Field-scanning electron microscopy
SU8020
Morphology analysis
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Transmission electron microscope
JEM-2100F
Microstructure characterization
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X-ray photoelectron spectrometer
ESCALAB 250
Chemical state analysis
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UV-vis spectrophotometer
UV-3600
Absorption spectra analysis
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Mass spectrometer
ICP-MS 7500
Element content analysis
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