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通过TOPCon实现PERC太阳能电池渐进式升级的效率路线图:寄生吸收的影响

DOI:10.1109/JPHOTOV.2019.2957642 期刊:IEEE Journal of Photovoltaics 出版年份:2019 更新时间:2025-09-16 10:30:52
摘要: 通过薄界面氧化层和高掺杂多晶硅层(如TOPCon技术)形成的钝化接触,即将应用于太阳能电池的大规模生产。投资决策依赖于研发工作以确定最具前景的实施方案——即基于预测性能提升的可靠路线图。本文通过数值模拟系统量化了性能潜力,重点研究无主栅p型双面钝化发射极背接触(PERC)技术的渐进式升级方案。我们特别强调:不仅要考虑钝化接触的电学增益,还需评估前后表面光照时多晶硅层寄生吸收导致的光学损失。通过实验测试结构表征多晶硅中自由载流子吸收对电池光学性能的影响,从而验证光学模拟模型。在后表面全面引入TOPCon结构并使其与前表面栅线局部对齐,可使PERC效率绝对值提升约1%。最终器件的性能主要受限于p型c-Si基体与磷掺杂前发射极的损失。因此,这种渐进式TOPCon升级方案对于未来改进型p-PERC电池具有重要参考价值——可作为当前聚焦硼发射极n型TOPCon电池的替代方案。
作者: Christoph Messmer,Andreas Fell,Frank Feldmann,Nico W?hrle,Jonas Sch?n,Martin Hermle
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研究概述 实验方案 设备清单

研究TOPCon技术在PERC太阳能电池渐进式升级中的性能潜力,重点关注电学增益及寄生吸收导致的光学损失。

研究得出结论,TOPCon升级可将PERC效率提升约1%绝对值,但最终器件性能受限于p型c-Si晶硅体区及磷掺杂前表面发射极的损耗。这种渐进式TOPCon升级方案可能适用于未来改进型p-PERC电池,为采用硼发射极的n型TOPCon电池提供了替代方案。

该研究的局限性在于模拟参数的假设可能与不同制造商的实际电池存在差异。此外,仅关注p型材料及磷扩散前表面发射极,可能无法充分体现采用硼发射极的n型TOPCon电池的全部潜力。

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