研究目的
研究基于低温溶液生长法制备的纳米结构n-ZnO/p-CuI和n-ZnO/p-NiO二极管异质结半透明紫外光电探测器的制备与性能。
研究成果
该研究表明，利用通过SILAR法制备的大带隙p型CuI和NiO纳米晶薄膜，以及脉冲电沉积法获得的n型一维ZnO阵列，有可能制造出高性能的半透明紫外光电探测器。
研究不足
使用非质子溶剂进行NiO薄膜电沉积具有毒性，且CuI和NiO薄膜的粗糙表面可能因界面缺陷态而导致高理想因子。
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[2018年IEEE第八届纳米材料：应用与特性国际会议(NAP) - 乌克兰扎托卡(2018.9.9-2018.9.14)] 2018年IEEE第八届纳米材料：应用与特性国际会议(NAP) - 基于低温溶液生长法制备的纳米结构n-ZnO/p-CuI和n-ZnO/p-NiO二极管异质结的半透明紫外光电探测器
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[2018年IEEE第八届纳米材料：应用与特性国际会议(NAP) - 乌克兰扎托卡(2018.9.9-2018.9.14)] 2018年IEEE第八届纳米材料：应用与特性国际会议(NAP) - 基于低温溶液生长法制备的纳米结构n-ZnO/p-CuI和n-ZnO/p-NiO二极管异质结的半透明紫外光电探测器
DOI：10.1109/NAP.2018.8915168
出版年份：2018
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
本研究探究了通过低温溶液生长法制备的宽带隙双极二极管纳米结构异质结。脉冲电沉积氧化锌纳米棒阵列、连续离子层吸附反应(SILAR)技术生长的氧化镍与碘化铜薄膜的晶体结构与光学特性，以及该异质结的二极管参数与光电特性表明：它们有望用于制造低成本、便携式的软紫外光半透明光电探测器。
作者：
N.P. Klochko，G.S. Khrypunov，K.S. Klepikova，V.E. Korsun，D.O. Zhadan，V.R. Kopach，V.M. Lyubov，M.V. Kirichenko，A.L. Khrypunova，S.I. Petrushenko，S.V. Dukarov
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