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抵消GaInP/GaAs/Ge太阳能电池顶部互联生成区中的光伏效应

DOI：10.1134/S1063782619110149 期刊：Semiconductors 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 分析了位于GaInP和GaAs子电池（电能发生器）之间的"顶部"互联电池部分。研究了光电流-电压特性曲线形状以及开路电压-短路电流（Voc-Jsc）的依赖关系。研究发现，"顶部"互联电池部分中的p+-n+隧道异质结可作为与基极p-n结作用相反的光电源。这种情况下，Voc-Jsc特性会出现下降段，并可观察到陡峭跳变。随着隧道结峰值电流增大，这种不良效应会减弱。
作者： M. A. Mintairova，V. V. Evstropova，S. A. Mintairova，M. Z. Shvartsa，N. A. Kalyuzhnyya
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研究目的

分析位于GaInP和GaAs子电池之间的"顶部"互联结部分，以研究光电流-电压特性的形状以及开路电压-短路电流密度(Voc-Jsc)的依赖关系，并发现p+-n+隧道异质结可作为光电发射源来抵消基极p-n结的作用。

研究成果

该研究将抵消光伏效应的来源定位于GaInP/GaAs/Ge太阳能电池"顶部"互联发电机部分的p+–n+隧道异质结中。该效应在Voc–Jg特性中的表现取决于隧道二极管的特性，通过调整p+–n+隧道结的势垒高度和微分电阻有可能最小化该效应。

研究不足

该研究仅限于分析GaInP/GaAs/Ge太阳能电池中"顶部"的电池间部分，未涵盖太阳能电池结构的其他部分。加热对Voc-Jg特性的影响已降至最低，但在极高聚光因子下仍可能影响结果。

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