研究目的
采用第一性原理计算研究不同尺寸一维(1D)硫化锑(Sb2S3)纳米线(NWs)的电子与光学性质，以理解尺寸调控的激子效应。
研究成果
Sb2S3纳米线的电子结构取决于其纳米尺寸，这些Sb2S3纳米线带隙的减小及直接带隙的出现表明它们在光电器件领域具有广阔的应用前景。
研究不足
该研究仅限于理论计算，未包含实验验证。未考虑温度及其他环境因素的影响。
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尺寸可控的激子效应对Sb?S?纳米线电子和光学性质的影响
DOI：10.1039/c9cp05134a
期刊：Physical Chemistry Chemical Physics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
本研究采用第一性原理计算方法，探究了一维(1D) Sb2S3纳米线(NWs)在不同尺寸下的电子与光学特性。通过调控纳米线尺寸及施加不同单轴应变，可有效改变Sb2S3纳米线的间接-直接带隙转变特性。量子限域效应使Sb2S3纳米线呈现更宽带隙，而显著增强的电子-空穴相互作用（预期将产生激子束缚态）则导致带隙收窄?；诘缱佑肟昭ㄓ行е柿考扑阍げ猓琒b2S3纳米线的激子结合能介于0-1 eV范围内，高于块体Sb2S3材料，表明其激子可能结合潜在缺陷以增强发光性能。Sb2S3纳米线具有尺寸可控的吸收边蓝移/红移特性，显示其在纳米级发光器件应用中的良好前景。
作者：
Yuting Peng，Congxin Xia，Zhi Tan，Jiao An，Qiming Zhang
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