研究目的
研究大尺寸单层MoSe2的合成及用于红外发光二极管的新型二维/三维异质结构构建。
研究成果
该研究成功合成了大尺寸单层MoSe2，并构建了一种具有红外发射的新型MoSe2/NiO异质结构LED。研究结果表明其在红外遥感系统中具有潜在应用价值，但需进一步提升MoSe2薄片尺寸和量子产率。
研究不足
该研究受限于MoSe2薄片尺寸较小和量子产率较低的问题，这影响了电致发光的强度。目前的合成方法限制了其大规模应用的潜力。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用化学气相沉积（CVD）技术合成单层MoSe2，并构建了用于LED应用的MoSe2/NiO范德华异质结构。
2：样品选择与数据来源：
MoSe2单层在SiO2/Si衬底上合成，NiO薄膜通过热蒸发法制备。
3：实验设备与材料清单：
CVD管式炉、硒粉、三氧化钼粉末、SiO2/Si衬底、PMMA溶液、铬/金电极。
4：实验步骤与操作流程：
合成MoSe2单层、转移至NiO/SiO2/Si衬底、电极制备以及材料与光电特性表征。
5：数据分析方法：
表征技术包括光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼与光致发光光谱（Raman/PL）、X射线衍射（XRD）及电致发光测量。
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CVD tube furnace
Shanghai Hanjun Nano New Materials Co., Ltd
Used for the synthesis of monolayer MoSe2.
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Se powder
Alfa Aesar
Reactant for the synthesis of MoSe2.
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MoO3 powder
Alfa Aesar
Reactant for the synthesis of MoSe2.
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SiO2/Si substrates
Substrate for the deposition of MoSe2 monolayers.
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PMMA solution
Used in the transfer process of MoSe2 monolayers.
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Cr/Au electrodes
Electrodes for the LED device.
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